casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDM6296
Número de pieza del fabricante | FDM6296 |
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Número de parte futuro | FT-FDM6296 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDM6296 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11.5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 11.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2005pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.1W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-Power33 (3x3) |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDM6296 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDM6296-FT |
FQI27N25TU-F085
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FQI27P06TU
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A3P015-1QNG68
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5SGXMA7N1F40C2N
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5SGXEA7N1F45I2N
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Xilinx Inc.
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