casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDI9409-F085
Número de pieza del fabricante | FDI9409-F085 |
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Número de parte futuro | FT-FDI9409-F085 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
FDI9409-F085 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2980pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 94W (Tj) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | I2PAK (TO-262) |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDI9409-F085 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDI9409-F085-FT |
BSS192PH6327FTSA1
Infineon Technologies
BSS87H6327FTSA1
Infineon Technologies
BSS225H6327FTSA1
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BSS606NH6327XTSA1
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BSS192PE6327T
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BSS192PH6327XTSA1
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BSS192PL6327HTSA1
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BSS225
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BSS225H6327XTSA1
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XC7A100T-2FTG256I
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APA450-FGG484A
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10AX032E4F27I3SG
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XC6VHX380T-2FFG1154C
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XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
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LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
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EP1AGX35DF780C6
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EP1S40F1020C5N
Intel