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ON Semiconductor FDFMA3P029Z

Name: FDFMA3P029Z
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDFMA3P029Z
Availability: InStock
Rating: 4.5 (337 reviews)

Número de pieza de MFG: FDFMA3P029Z

Cantidad disponible: 38900 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: PowerTrench® MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDFMA3P029Z.pdf

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FDFMA3P029Z Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FDFMA3P029Z
Número de parte futuro	FT-FDFMA3P029Z
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDFMA3P029Z Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	87 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	435pF @ 15V
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max)	1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	6-MicroFET (2x2)
Paquete / Caja	6-VDFN Exposed Pad
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDFMA3P029Z Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDFMA3P029Z-FT

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