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ON Semiconductor FDC021N30

Número de pieza de MFG
FDC021N30
Cantidad disponible
19930 Piezas
Precio de referencia
USD 0.094088
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
PowerTrench® PT8 N 30V/20V MOSFET
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-FDC021N30
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDC021N30 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6.1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 10.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 710pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SuperSOT™-6
Paquete / Caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDC021N30 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FDC021N30-FT

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