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ON Semiconductor FDC855N

Name: FDC855N
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDC855N
Price: 0.188504 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (239 reviews)

Número de pieza de MFG: FDC855N

Cantidad disponible: 69230 Piezas

Precio de referencia: USD 0.188504

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: PowerTrench® MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDC855N.pdf

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FDC855N Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FDC855N
Número de parte futuro	FT-FDC855N
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDC855N Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6.1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	655pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	SuperSOT™-6
Paquete / Caja	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDC855N Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDC855N-FT

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