casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDD6690A
Número de pieza del fabricante | FDD6690A |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDD6690A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDD6690A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Ta), 46A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1230pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.3W (Ta), 56W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-PAK (TO-252AA) |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD6690A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDD6690A-FT |
IRLR3636TRPBF
Infineon Technologies
TK33S10N1Z,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
FDD8870
ON Semiconductor
IRFR5410TRPBF
Infineon Technologies
IRLR3410TRPBF
Infineon Technologies
IRLR7833
Infineon Technologies
FDD2572-F085
ON Semiconductor
FQD3N60CTM-WS
ON Semiconductor
IXTY01N100
IXYS
IRLR8743TRPBF
Infineon Technologies
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel