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Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z,LQ

Name: TK33S10N1Z,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK33S10N1Z,LQ
Price: 0.5096 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (397 reviews)

Número de pieza de MFG: TK33S10N1Z,LQ

Cantidad disponible: 17730 Piezas

Precio de referencia: USD 0.5096

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: TK33S10N1Z,LQ.pdf

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TK33S10N1Z,LQ Presupuesto

Número de pieza del fabricante	TK33S10N1Z,LQ
Número de parte futuro	FT-TK33S10N1Z,LQ
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	U-MOSVIII-H
TK33S10N1Z,LQ Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	33A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.7 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 500µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2050pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK+
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK33S10N1Z,LQ Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	TK33S10N1Z,LQ-FT

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