casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / ZVP3310ASTOA
Número de pieza del fabricante | ZVP3310ASTOA |
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Número de parte futuro | FT-ZVP3310ASTOA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZVP3310ASTOA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 140mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 Ohm @ 150mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 50pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 625mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | E-Line (TO-92 compatible) |
Paquete / Caja | E-Line-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZVP3310ASTOA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ZVP3310ASTOA-FT |
BS170PSTOA
Diodes Incorporated
BS170PSTOB
Diodes Incorporated
BS170_L34Z
ON Semiconductor
BS250KL-TR1-E3
Vishay Siliconix
BS250PSTOB
Diodes Incorporated
BS250PSTZ
Diodes Incorporated
BSN254,126
NXP USA Inc.
BSN254A,126
NXP USA Inc.
BSN304,126
NXP USA Inc.
BSP254A,126
NXP USA Inc.
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel