casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFR5410TRPBF
Número de pieza del fabricante | IRFR5410TRPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRFR5410TRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFR5410TRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 13A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 205 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 760pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 66W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-Pak |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFR5410TRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFR5410TRPBF-FT |
ZVP2120ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP3306ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP3306ASTZ
Diodes Incorporated
ZVP3310ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP3310ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP3310ASTZ
Diodes Incorporated
ZVP4105A
Diodes Incorporated
ZVP4105ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP4105ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP4424ASTOA
Diodes Incorporated
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel