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ON Semiconductor FDD306P

Número de pieza de MFG
FDD306P
Cantidad disponible
30470 Piezas
Precio de referencia
USD 0.28404
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
PowerTrench® MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-FDD306P
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDD306P Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6.7A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1290pF @ 6V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 52W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252
Paquete / Caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD306P Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FDD306P-FT

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