casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQD1N80TM
Número de pieza del fabricante | FQD1N80TM |
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Número de parte futuro | FT-FQD1N80TM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQD1N80TM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 195pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-Pak |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD1N80TM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FQD1N80TM-FT |
ZVP2106ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP2110ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP2110ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP2120A
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ZVP2120ASTOB
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
ZVP3310ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP3310ASTOB
Diodes Incorporated
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
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M7A3P1000-FGG256I
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A40MX04-1PL68
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EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
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LFXP2-40E-6FN484I
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10AX066H1F34I1SG
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