casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDD5N60NZTM
Número de pieza del fabricante | FDD5N60NZTM |
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Número de parte futuro | FT-FDD5N60NZTM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET-II™ |
FDD5N60NZTM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 600pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 83W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-Pak |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD5N60NZTM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDD5N60NZTM-FT |
ZVP1320ASTZ
Diodes Incorporated
ZVP2106AS
Diodes Incorporated
ZVP2106ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP2106ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP2110ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP2110ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP2120A
Diodes Incorporated
ZVP2120ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP2120ASTOB
Diodes Incorporated
ZVP3306ASTOB
Diodes Incorporated
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel