casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDD2572
Número de pieza del fabricante | FDD2572 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDD2572 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDD2572 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 150V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A (Ta), 29A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1770pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 135W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252AA |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD2572 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDD2572-FT |
IRLR2905ZPBF
Infineon Technologies
AUIRFR5410
Infineon Technologies
IXFY26N30X3
IXYS
IXTY1R6N100D2
IXYS
IXTY1R6N50D2
IXYS
IXFY36N20X3
IXYS
IXTY44N10T
IXYS
IRLR3705ZPBF
Infineon Technologies
IRFR6215PBF
Infineon Technologies
IXFY4N60P3
IXYS
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel