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IXYS IXTY1R6N50D2

Número de pieza de MFG
IXTY1R6N50D2
Cantidad disponible
37490 Piezas
Precio de referencia
USD 1.832
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fabricante
IXYS
Breve descripción
- MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
IXTY1R6N50D2 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 23.7nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 645pF @ 25V
Característica FET Depletion Mode
Disipación de potencia (max) 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252, (D-Pak)
Paquete / Caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTY1R6N50D2 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXTY1R6N50D2-FT

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