casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDD86567-F085
Número de pieza del fabricante | FDD86567-F085 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDD86567-F085 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
FDD86567-F085 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4950pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 227W (Tj) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-PAK (TO-252) |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD86567-F085 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDD86567-F085-FT |
FQD4N20TM
ON Semiconductor
HUFA76409D3ST
ON Semiconductor
FDD3672-F085
ON Semiconductor
FDD8878
ON Semiconductor
FDD86380-F085
ON Semiconductor
FDD6N50TM-WS
ON Semiconductor
FDD8778
ON Semiconductor
FDD6N50TM-F085
ON Semiconductor
FDD3706
ON Semiconductor
FDD8N50NZTM
ON Semiconductor
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel