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IXYS IXFY4N60P3

Número de pieza de MFG
IXFY4N60P3
Cantidad disponible
90490 Piezas
Precio de referencia
USD 1.288
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fabricante
IXYS
Breve descripción
HiPerFET™, Polar3™ MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-IXFY4N60P3
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HiPerFET™, Polar3™
IXFY4N60P3 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 365pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 114W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor TO-252
Paquete / Caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFY4N60P3 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IXFY4N60P3-FT

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