casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDBL0200N100
Número de pieza del fabricante | FDBL0200N100 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDBL0200N100 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FDBL0200N100 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 300A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 133nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9760pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 429W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-HPSOF |
Paquete / Caja | 8-PowerSFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDBL0200N100 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDBL0200N100-FT |
FDP5500-F085
ON Semiconductor
FDP8443-F085
ON Semiconductor
FQE10N20CTU
ON Semiconductor
FQE10N20LCTU
ON Semiconductor
FDMC8010DC
ON Semiconductor
FDMS8050ET30
ON Semiconductor
FDMS86202ET120
ON Semiconductor
FDMS86202
ON Semiconductor
FDMS86150
ON Semiconductor
FDMS86350
ON Semiconductor
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel