casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDMS86350
Número de pieza del fabricante | FDMS86350 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDMS86350 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDMS86350 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 25A (Ta), 130A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 10680pF @ 40V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.7W (Ta), 156W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | Power56 |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS86350 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDMS86350-FT |
FQNL2N50BBU
ON Semiconductor
IRFNL210BTA-FP001
ON Semiconductor
FDL100N50F
ON Semiconductor
FQL40N50
ON Semiconductor
FQL40N50F
ON Semiconductor
FQL50N40
ON Semiconductor
HUF75639S3
ON Semiconductor
FQI5N60CTU
ON Semiconductor
FQI7N60TU
ON Semiconductor
FQI7N80TU
ON Semiconductor
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel