casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCH47N60-F085
Número de pieza del fabricante | FCH47N60-F085 |
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Número de parte futuro | FT-FCH47N60-F085 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, SuperFET™ |
FCH47N60-F085 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 47A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 79 mOhm @ 47A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8000pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 417W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH47N60-F085 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FCH47N60-F085-FT |
GP1M009A090N
Global Power Technologies Group
GP1M010A080N
Global Power Technologies Group
GP1M016A060N
Global Power Technologies Group
GP1M020A050N
Global Power Technologies Group
GP1M020A060M
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GP1M020A060N
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GP1M023A050N
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GP2M009A090NG
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GP2M011A090NG
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GP2M012A080NG
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A3PE600-2FGG484I
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M1A3P600-2PQ208
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LFE3-35EA-8LFTN256C
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AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
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EP3SE260F1152I3
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LCMXO640C-4M100C
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EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel