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Global Power Technologies Group GP1M010A080N

Name: GP1M010A080N
Brand: Global Power Technologies Group
SKU: GP1M010A080N
Availability: InStock
Rating: 4.7 (666 reviews)

Número de pieza de MFG: GP1M010A080N

Cantidad disponible: 75950 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Global Power Technologies Group

Breve descripción: - MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: GP1M010A080N.pdf

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Número de pieza del fabricante	GP1M010A080N
Número de parte futuro	FT-GP1M010A080N
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
GP1M010A080N Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	900V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2336pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	312W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-3PN
Paquete / Caja	TO-3P-3, SC-65-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP1M010A080N Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	GP1M010A080N-FT

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