casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GP1M023A050N
Número de pieza del fabricante | GP1M023A050N |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GP1M023A050N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GP1M023A050N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 23A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 11.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3391pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 347W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-3PN |
Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP1M023A050N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GP1M023A050N-FT |
IRFU120ZPBF
Infineon Technologies
IRFU12N25D
Infineon Technologies
IRFU12N25DPBF
Infineon Technologies
IRFU13N15D
Infineon Technologies
IRFU15N20DPBF
Infineon Technologies
IRFU18N15D
Infineon Technologies
IRFU220N
Infineon Technologies
IRFU2307ZPBF
Infineon Technologies
IRFU2407
Infineon Technologies
IRFU2607ZPBF
Infineon Technologies
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel