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ON Semiconductor FCH190N65F-F085

Name: FCH190N65F-F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCH190N65F-F085
Price: 3.866328 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (518 reviews)

Número de pieza de MFG: FCH190N65F-F085

Cantidad disponible: 28560 Piezas

Precio de referencia: USD 3.866328

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FCH190N65F-F085.pdf

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Número de pieza del fabricante	FCH190N65F-F085
Número de parte futuro	FT-FCH190N65F-F085
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
FCH190N65F-F085 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	20.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3181pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / Caja	TO-247-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCH190N65F-F085 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FCH190N65F-F085-FT

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