casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCH104N60
Número de pieza del fabricante | FCH104N60 |
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Número de parte futuro | FT-FCH104N60 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET® II |
FCH104N60 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 37A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104 mOhm @ 18.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4165pF @ 380V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 357W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH104N60 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FCH104N60-FT |
GP2M005A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060PGH
Global Power Technologies Group
GP2M008A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M008A060PGH
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GP1M009A090N
Global Power Technologies Group
GP1M010A080N
Global Power Technologies Group
GP1M016A060N
Global Power Technologies Group
GP1M020A050N
Global Power Technologies Group
GP1M020A060M
Global Power Technologies Group
GP1M020A060N
Global Power Technologies Group
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel