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Global Power Technologies Group GP2M005A060PG

Número de pieza de MFG
GP2M005A060PG
Cantidad disponible
69890 Piezas
Precio de referencia
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Fecha de envío
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fabricante
Global Power Technologies Group
Breve descripción
- MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
GP2M005A060PG Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 658pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 98.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor I-PAK
Paquete / Caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP2M005A060PG Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto GP2M005A060PG-FT

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