casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / EMG2DXV5T1G
Número de pieza del fabricante | EMG2DXV5T1G |
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Número de parte futuro | FT-EMG2DXV5T1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMG2DXV5T1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 230mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-553 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-553 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMG2DXV5T1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EMG2DXV5T1G-FT |
NSBA123EDXV6T1G
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NSBC144EPDXV6T1G
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