casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / EMA6DXV5T5G
Número de pieza del fabricante | EMA6DXV5T5G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-EMA6DXV5T5G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMA6DXV5T5G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | - |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | - |
Potencia - max | 230mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-553 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-553 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMA6DXV5T5G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EMA6DXV5T5G-FT |
NSBC114TDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC114YDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDXV6T5G
ON Semiconductor
NSVEMD4DXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA124EDXV6T1G
ON Semiconductor
XCV50-4FG256C
Xilinx Inc.
A14V15A-VQG100C
Microsemi Corporation
AGLN030V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40I4
Intel
EP4SGX180KF40I4
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC6VLX130T-1FF784I
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34E3LG
Intel