casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / EGP30C-E3/54
Número de pieza del fabricante | EGP30C-E3/54 |
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Número de parte futuro | FT-EGP30C-E3/54 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
EGP30C-E3/54 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 150V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 950mV @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 150V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-201AA, DO-27, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | GP20 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGP30C-E3/54 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EGP30C-E3/54-FT |
1N6479-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6479-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6479HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6479HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6480-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6480HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6480HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6481-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6481HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6481HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation