casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N6481HE3/96
Número de pieza del fabricante | 1N6481HE3/96 |
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Número de parte futuro | FT-1N6481HE3/96 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
1N6481HE3/96 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacitancia a Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-213AB, MELF (Glass) |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-213AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6481HE3/96 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6481HE3/96-FT |
BYM12-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41J-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41M-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
TMBYV10-40FILM
STMicroelectronics
1N6482-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41D-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41J-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6481-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6484-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel