casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N6480HE3/97
Número de pieza del fabricante | 1N6480HE3/97 |
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Número de parte futuro | FT-1N6480HE3/97 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
1N6480HE3/97 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-213AB, MELF (Glass) |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-213AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6480HE3/97 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N6480HE3/97-FT |
BYM10-100-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41M-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41J-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41M-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
TMBYV10-40FILM
STMicroelectronics
1N6482-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41D-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41J-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel