casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS1330YP-70+
Número de pieza del fabricante | DS1330YP-70+ |
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Número de parte futuro | FT-DS1330YP-70+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1330YP-70+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 70ns |
Tiempo de acceso | 70ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 34-PowerCap™ Module |
Paquete del dispositivo del proveedor | 34-PowerCap Module |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1330YP-70+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS1330YP-70+-FT |
MT45W4MW16PFA-70 IT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PFA-70 WT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PFA-70 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PFA-85 WT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16PFA-85 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W512KW16PEGA-70 IT TR
Micron Technology Inc.
MT45W512KW16PEGA-70 WT TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAWP-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP:D TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel