casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F2G08ABAGAWP-IT:G
Número de pieza del fabricante | MT29F2G08ABAGAWP-IT:G |
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Número de parte futuro | FT-MT29F2G08ABAGAWP-IT:G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABAGAWP-IT:G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABAGAWP-IT:G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F2G08ABAGAWP-IT:G-FT |
MT28F320J3BS-11 GMET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3BS-11 MET
Micron Technology Inc.
MT28F320J3BS-11 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3FS-11 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3FS-11 GMET
Micron Technology Inc.
MT28F320J3FS-11 GMET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3FS-11 MET
Micron Technology Inc.
MT28F320J3FS-11 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3BS-115 ET
Micron Technology Inc.
MT28F640J3BS-115 ET TR
Micron Technology Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel