casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / MT29F32G08CBADAWP:D
Número de pieza del fabricante | MT29F32G08CBADAWP:D |
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Número de parte futuro | FT-MT29F32G08CBADAWP:D |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F32G08CBADAWP:D Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NAND |
Tamaño de la memoria | 32Gb (4G x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 48-TSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F32G08CBADAWP:D Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | MT29F32G08CBADAWP:D-FT |
MT28F320J3BS-11 MET
Micron Technology Inc.
MT28F320J3BS-11 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3FS-11 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3FS-11 GMET
Micron Technology Inc.
MT28F320J3FS-11 GMET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3FS-11 MET
Micron Technology Inc.
MT28F320J3FS-11 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3BS-115 ET
Micron Technology Inc.
MT28F640J3BS-115 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F640J3BS-115 GMET
Micron Technology Inc.
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel