casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMTH6016LFVW-13
Número de pieza del fabricante | DMTH6016LFVW-13 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DMTH6016LFVW-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMTH6016LFVW-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 41A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 939pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.2W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount, Wettable Flank |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerDI3333-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMTH6016LFVW-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMTH6016LFVW-13-FT |
IXFH26N100X
IXYS
IXFH32N100X
IXYS
IXFH60N65X2-4
IXYS
IXFH76N15T2
IXYS
IXFH7N100P
IXYS
IXFH80N65X2-4
IXYS
IXFK32N100X
IXYS
IXFK52N100X
IXYS
IXFN52N100X
IXYS
IXFN70N100X
IXYS
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel