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IXYS IXFH7N100P

Name: IXFH7N100P
Brand: IXYS
SKU: IXFH7N100P
Price: 5.133336 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (631 reviews)

Número de pieza de MFG: IXFH7N100P

Cantidad disponible: 96930 Piezas

Precio de referencia: USD 5.133336

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fabricante: IXYS

Breve descripción: HiPerFET™, Polar™ MOSFET N-CH

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXFH7N100P.pdf

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IXFH7N100P Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IXFH7N100P
Número de parte futuro	FT-IXFH7N100P
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™, Polar™
IXFH7N100P Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2590pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / Caja	TO-247-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH7N100P Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXFH7N100P-FT

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