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IXYS IXFH80N65X2-4

Name: IXFH80N65X2-4
Brand: IXYS
SKU: IXFH80N65X2-4
Price: 8.1344 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (613 reviews)

Número de pieza de MFG: IXFH80N65X2-4

Cantidad disponible: 83870 Piezas

Precio de referencia: USD 8.1344

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fabricante: IXYS

Breve descripción: HiPerFET™ MOSFET N-CH

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IXFH80N65X2-4.pdf

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Número de pieza del fabricante	IXFH80N65X2-4
Número de parte futuro	FT-IXFH80N65X2-4
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HiPerFET™
IXFH80N65X2-4 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	38 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	8300pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	890W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-4L
Paquete / Caja	TO-247-4
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH80N65X2-4 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IXFH80N65X2-4-FT

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