casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMT6017LFV-7
Número de pieza del fabricante | DMT6017LFV-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMT6017LFV-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMT6017LFV-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 65V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 36A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 891pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.12W (Ta), 39.06W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerDI3333-8 |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT6017LFV-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMT6017LFV-7-FT |
IXFH130N15X3
IXYS
IXFH150N25X3HV
IXYS
IXFH26N100X
IXYS
IXFH32N100X
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IXFH80N65X2-4
IXYS
IXFK32N100X
IXYS
IXFK52N100X
IXYS
XCV1000E-8FG900C
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LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
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M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
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5SGXMA7K3F40C3
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XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
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EPF8820QC160-4
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