casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMP6110SSS-13
Número de pieza del fabricante | DMP6110SSS-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMP6110SSS-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMP6110SSS-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 19.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1030pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.5W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP6110SSS-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMP6110SSS-13-FT |
DMTH6009LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH6010LK3Q-13
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
DMN4009LK3-13
Diodes Incorporated
LCMXO256C-4T100I
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A54SX32A-FGG484
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XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel