casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN66D0LW-7
Número de pieza del fabricante | DMN66D0LW-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMN66D0LW-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN66D0LW-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 115mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 115mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 23pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 200mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-323 |
Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN66D0LW-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN66D0LW-7-FT |
ZXM66N03N8TA
Diodes Incorporated
ZXM66P02N8TA
Diodes Incorporated
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ZXMN3A02N8TA
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LFXP6E-3TN144C
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EX64-TQG100I
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XCV1000E-8FG900C
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A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
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