casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / ZXMN3B04N8TC
Número de pieza del fabricante | ZXMN3B04N8TC |
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Número de parte futuro | FT-ZXMN3B04N8TC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXMN3B04N8TC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.2A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 7.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 23.1nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2480pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMN3B04N8TC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ZXMN3B04N8TC-FT |
DMTH4004SCTB-13
Diodes Incorporated
DMTH6004SCTBQ-13
Diodes Incorporated
IPB60R040C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R060C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R099C7ATMA1
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IPB60R120C7ATMA1
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IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
DMG4466SSS-13
Diodes Incorporated
DMP4025LSS-13
Diodes Incorporated
DMP4050SSS-13
Diodes Incorporated
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
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EPF10K10LC84-4N
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EP4SGX360HF35I4
Intel