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Diodes Incorporated ZXM66P02N8TC

Número de pieza de MFG
ZXM66P02N8TC
Cantidad disponible
25730 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
- MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-ZXM66P02N8TC
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
ZXM66P02N8TC Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6.4A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 43.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2068pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.56W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / Caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXM66P02N8TC Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto ZXM66P02N8TC-FT

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