casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN25D0UFA-7B
Número de pieza del fabricante | DMN25D0UFA-7B |
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Número de parte futuro | FT-DMN25D0UFA-7B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN25D0UFA-7B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 240mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 400mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.36nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | 8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 27.9pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 280mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | X2-DFN0806-3 |
Paquete / Caja | 3-XFDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN25D0UFA-7B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN25D0UFA-7B-FT |
DMP4025SFGQ-13
Diodes Incorporated
DMN3009SFGQ-7
Diodes Incorporated
DMN3018SFG-7
Diodes Incorporated
DMN3030LFG-7
Diodes Incorporated
DMN10H120SFG-7
Diodes Incorporated
DMPH6050SFGQ-7
Diodes Incorporated
DMG7408SFG-7
Diodes Incorporated
DMN10H120SFG-13
Diodes Incorporated
DMN3009SFGQ-13
Diodes Incorporated
DMN3024SFG-7
Diodes Incorporated
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel