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DMN1019UVT-7 Image

Diodes Incorporated DMN1019UVT-7

Número de pieza de MFG
DMN1019UVT-7
Cantidad disponible
32900 Piezas
Precio de referencia
USD 0.11768
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fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
- MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
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Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMN1019UVT-7 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10.7A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 50.4nC @ 8V
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2588pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.73W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor TSOT-26
Paquete / Caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN1019UVT-7 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto DMN1019UVT-7-FT

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