casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN1019UVT-7
Número de pieza del fabricante | DMN1019UVT-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMN1019UVT-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN1019UVT-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10.7A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 50.4nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2588pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.73W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | TSOT-26 |
Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN1019UVT-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN1019UVT-7-FT |
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