casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN1016UCB6-7
Número de pieza del fabricante | DMN1016UCB6-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMN1016UCB6-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN1016UCB6-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 423pF @ 6V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 920mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | U-WLB1510-6 |
Paquete / Caja | 6-UFBGA, WLBGA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN1016UCB6-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN1016UCB6-7-FT |
IPB60R120C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
DMG4466SSS-13
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M2GL025T-1FCSG325I
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M1A3P400-FG484
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LFE5UM-45F-8BG381C
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EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
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ICE40UL1K-CM36AI
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LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
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10AX016E3F27I1HG
Intel