casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / DMC1030UFDB-7
Número de pieza del fabricante | DMC1030UFDB-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMC1030UFDB-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMC1030UFDB-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N and P-Channel Complementary |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V |
Potencia - max | 1.36W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-UDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | U-DFN2020-6 (Type B) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMC1030UFDB-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMC1030UFDB-7-FT |
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XC6SLX75T-2FG484C
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Lattice Semiconductor Corporation
EP1M120F484C6
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EP4S100G5F45I1N
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10AX115H2F34I2LG
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