casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / ZXMN6A09DN8TA
Número de pieza del fabricante | ZXMN6A09DN8TA |
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Número de parte futuro | FT-ZXMN6A09DN8TA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXMN6A09DN8TA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 8.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 24.2nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1407pF @ 40V |
Potencia - max | 1.25W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMN6A09DN8TA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ZXMN6A09DN8TA-FT |
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EP4SGX290FH29C4N
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EP2AGX65DF25C6NES
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5SGXEB6R3F43C2N
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LFE3-150EA-6LFN672C
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