casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / HTMN5130SSD-13
Número de pieza del fabricante | HTMN5130SSD-13 |
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Número de parte futuro | FT-HTMN5130SSD-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HTMN5130SSD-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 218.7pF @ 25V |
Potencia - max | 1.7W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HTMN5130SSD-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HTMN5130SSD-13-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
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Microchip Technology
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XC7VX485T-1FFG1930C
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XC6VLX240T-2FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-5BG332I
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LCMXO2-2000HE-5FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-3
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5CEBA2U15I7
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