Número de pieza del fabricante | DB106TB |
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Número de parte futuro | FT-DB106TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB106TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | DB-M |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB106TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DB106TB-FT |
GBJ2501TB
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GBJ2502TB
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GBJ2504TB
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GBJ2508TB
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GBJ35005TB
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GBJ3501TB
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GBJ3502TB
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GBJ6005TB
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XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
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EP3SL340H1152I4LN
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LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
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10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel