casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ3502TB
Número de pieza del fabricante | GBJ3502TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBJ3502TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ3502TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 35A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 35A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ3502TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ3502TB-FT |
GBU802 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU802HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU803 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU803HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU804 D2G
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GBU804HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU805HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU806HD2G
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GBU807HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1001 D2G
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XC2V1500-4FGG676I
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A42MX36-PQG240
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A1020B-2PLG68I
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EP2S60F672I4N
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XC5VSX35T-3FFG665C
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XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP6C-4Q208C
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EP2AGX95EF29I3G
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