casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ3502TB
Número de pieza del fabricante | GBJ3502TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBJ3502TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ3502TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 35A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 35A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ3502TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ3502TB-FT |
GBU802 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU802HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU803 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU803HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU804 D2G
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GBU804HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU805HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU806HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU807HD2G
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GBU1001 D2G
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XC7A15T-L1FTG256I
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XCKU11P-3FFVE1517E
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EP1S25F672C6
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LFE2M100E-6FN900I
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10AX115H3F34I2SGE2
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5AGXFB1H4F35I5G
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10AX027E1F27E1SG
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