casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ35005TB
Número de pieza del fabricante | GBJ35005TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBJ35005TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ35005TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 35A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 35A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ35005TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ35005TB-FT |
GBU801 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU801HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU802 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU802HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU803 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU803HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU804 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU804HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU805HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU806HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K10FC256-2N
Intel
5SGSMD5H3F35C2L
Intel
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQ100
Microsemi Corporation
EP1S40F1508C7N
Intel