Número de pieza del fabricante | DB103TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DB103TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB103TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | DB-M |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB103TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DB103TB-FT |
GBJ2008TB
SMC Diode Solutions
GBJ25005TB
SMC Diode Solutions
GBJ2501TB
SMC Diode Solutions
GBJ2502TB
SMC Diode Solutions
GBJ2504TB
SMC Diode Solutions
GBJ2508TB
SMC Diode Solutions
GBJ35005TB
SMC Diode Solutions
GBJ3501TB
SMC Diode Solutions
GBJ3502TB
SMC Diode Solutions
GBJ3504TB
SMC Diode Solutions
LCMXO2-2000ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
A42MX09-FVQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I3N
Intel
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
EP20K100EFI144-2X
Intel
XC5VLX50-2FFG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation